特許
J-GLOBAL ID：200903010153845698
パターン形成方法、パターン形成プログラム、及び半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-238357
公開番号（公開出願番号）：特開2004-077824
出願日： 2002年08月19日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：
【課題】段差上にパターンを形成する場合に、設計寸法により近いパターンを形成することができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】段差パターンが形成されている処理基板の上に段差パターンに交差する回路パターンを転写するリソグラフィ工程において使用するマスクパターンを作成する段階と、段差パターンの形状を考慮した補正ルールに従って、マスクパターンに対して、回路パターンのエッジと段差パターンとの交差部分及び交差部分の近傍に補正パターンを付加する段階とを有する。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
段差パターンが形成されている処理基板の上に前記段差パターンに交差する回路パターンを転写するリソグラフィ工程において使用するマスクパターンを作成する段階と、
前記段差パターンの形状を考慮した補正ルールに従って、前記マスクパターンに対して、前記回路パターンのエッジと前記段差パターンとの交差部分及び該交差部分の近傍に補正パターンを付加する段階と
を有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3件)：
G03F1/08
, G03F7/20
, H01L21/027
G03F1/08 A
, G03F7/20 521
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BB36
, 2H095BC09
, 2H095BD28
