半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：芝野正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-371633
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189379
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】素子特性を確保する上で望ましいトレンチ分離構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板1の上面には、ゲート絶縁膜5を形成すべく熱酸化処理が施される。その上には、ゲート電極6となるポリシリコン膜を形成する。ポリシリコン膜の上面にトレンチ形成のためのマスクを形成し、半導体基板1のエッチングと同時に、ポリシリコン膜を水平方向にエッチングすることで、トレンチ2の開口上端部Cの上方がポリシリコンに覆われないようにする。次に、トレンチ表面に熱酸化処理を施すことで、同開口上端部Cをラウンドさせる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に素子分離溝が形成された半導体装置において、前記素子分離溝は表面に熱酸化膜を有するとともに、その開口上端部がラウンド形成され、同素子分離溝内に埋め込まれた充填部材は、前記ラウンド形成された素子分離溝の開口上端部を覆いつつその上端の一部が前記基板表面と平行に突出するサイドエッチング跡を有してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/76 L , H01L 21/302 L , H01L 27/04 C , H01L 27/10 625 B , H01L 29/78 301 R

Fターム (61件)：

5F004AA04 , 5F004AA11 , 5F004DA00 , 5F004DB02 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA09 , 5F004EA10 , 5F004EA12 , 5F004EA33 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F004EB04 , 5F004EB05 , 5F004FA01 , 5F004FA02 , 5F032AA36 , 5F032AA44 , 5F032AA45 , 5F032BB04 , 5F032CA17 , 5F032DA04 , 5F032DA23 , 5F032DA24 , 5F032DA25 , 5F032DA27 , 5F032DA30 , 5F032DA33 , 5F032DA43 , 5F032DA53 , 5F032DA80 , 5F038AC05 , 5F038AC10 , 5F038AC15 , 5F038AC18 , 5F038DF05 , 5F038EZ15 , 5F038EZ18 , 5F040DA08 , 5F040DB01 , 5F040DB09 , 5F040DC01 , 5F040EA08 , 5F040EC07 , 5F040EF02 , 5F040EK05 , 5F040FA05 , 5F040FB02 , 5F040FB04 , 5F040FC10 , 5F040FC23 , 5F040FC28 , 5F083AD10 , 5F083AD16 , 5F083AD51 , 5F083JA02 , 5F083JA32 , 5F083PR03 , 5F083PR12 , 5F083PR29

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-333195 出願人：株式会社東芝
トレンチ分離形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-241738 出願人：松下電器産業株式会社
無空洞トレンチ隔離を形成する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-017647 出願人：三星電子株式会社

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