特許
J-GLOBAL ID：200903010494527317

パルスレーザ光照射装置及び照射方法

発明者：
田邉 浩

田邉 浩 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-116310
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358087
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 レーザビーム強度の安定した照射を可能にすると共に、他結晶シリコン薄膜形成に寄与しない無駄なレーザ発振を抑制し、この薄膜の生産効率を改善し、生産コストの上昇を防ぐことが可能なパルスレーザ光照射装置、照射方法を提供する。【解決手段】 レーザ光の基板上のn-1番目の照射範囲からn番目の照射範囲への移行期間にパルスレーザの発振を停止する期間を置き、かつ、n番目の照射のために再発振されたパルスレーザの初期パルス部が遮蔽装置により遮蔽されるように制御される。発振されたレーザ光を所定の時間に応じて複数の光路に分解するための分配手段を有し、分配された光路の延長上に移動機構を有し、分配手段はレーザ光を第1の光路及び第2の光路へと順次供給し、それぞれの光路の延長上にある基板上の照射領域は、次の照射光を供給されるまでに、所望の位置に移動する。
請求項（抜粋）：
少なくとも一つのパルスレーザ光源と、前記パルスレーザ光源から発振されたレーザ光を前記レーザ光の1回の照射範囲よりも大きな基板上に堆積されたシリコン薄膜に照射するための前記レーザ光または前記基板の移動走査機構とを有し、さらに前記パルスレーザ光源から基板上の照射箇所までの間に少なくとも一つのレーザ光の遮蔽装置を有するシリコン薄膜製造装置において、前記基板上のn-1番目の照射範囲からn番目の照射範囲への移行期間にパルスレーザの発振を停止する期間を置き、かつ、n番目の照射のために再発振されたパルスレーザの初期パルス部が前記遮蔽装置により遮蔽され各照射範囲における照射パルス数が一定となるように制御されることを特徴とするシリコン薄膜製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ,  B23K 26/00 ,  H01L 21/20 ,  B23K101:40
FI (5件)：
H01L 21/268 J ,  B23K 26/00 H ,  B23K 26/00 N ,  H01L 21/20 ,  B23K101:40
Fターム (16件)：
4E068AA00 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CD10 ,  4E068DA10 ,  5F052AA02 ,  5F052AA11 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB02 ,  5F052BB07 ,  5F052CA07 ,  5F052CA10 ,  5F052DA02 ,  5F052FA19 ,  5F052JA01
引用特許：
審査官引用 (18件)
  • 特開昭63-241925
  • パルスレーザアニール装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-251984   出願人：ソニー株式会社
  • 集積回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315863   出願人：日本電気株式会社
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