特許
J-GLOBAL ID：200903010559037282
磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-364350
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200245
出願日： 2002年12月16日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】熱的な安定性に優れ、デバイスの信頼性を高めることが可能な磁気抵抗素子を提供する。【解決手段】反強磁性層5と固定強磁性層20とトンネル絶縁層9と自由強磁性層21とを具備する磁気抵抗素子を用いる。反強磁性層5は、Mnを含む。固定強磁性層20は、反強磁性層5に接合され、固定される固定自発磁化を有する。そして、反強磁性層5を構成する材料のMnがトンネル絶縁層9へ拡散することを防止する機能を有する第1複合磁性層6を備える。トンネル絶縁層9は、固定強磁性層20に接合され、非磁性である。自由強磁性層21は、トンネル絶縁層9に接合され、反転可能な自由自発磁化を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
反強磁性層と、
前記反強磁性層に接合され、固定される固定自発磁化を有する固定強磁性層と、
前記固定強磁性層に接合され、非磁性のトンネル絶縁層と、
前記トンネル絶縁層に接合され、反転可能な自由自発磁化を有する自由強磁性層と
を具備し、
前記固定強磁性層は、前記反強磁性層を構成する材料の少なくとも一種が前記トンネル絶縁層へ拡散することを防止する機能を有する第1複合磁性層
を備える
磁気抵抗素子。
IPC (8件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/13
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01F41/18
, H01L43/10
, H01L43/12
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/13
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01F41/18
, H01L43/10
, H01L43/12
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034CA02
, 5D034DA07
, 5E049AA04
, 5E049AA09
, 5E049AC01
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049GC08
