特許
J-GLOBAL ID：200903010665799167

イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータ

発明者：
伊藤 公平

伊藤 公平 について

, 
清水 康雄

清水 康雄 について


出願人/特許権者：
学校法人慶應義塾

学校法人慶應義塾 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-137251
公開番号（公開出願番号）：特開2007-311444
出願日： 2006年05月17日
公開日（公表日）： 2007年11月29日
要約：
【課題】 イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータに関し、イオン照射にともなって基板を構成する原子が受ける影響を精度良く評価する。【解決手段】 少なくとも一種類の層が同位体層3からなる複数の薄膜層を交互に周期的に積層した試料1に対してイオン5を照射して、照射したイオン5による前記試料1を構成する原子に対する影響を評価する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも一種類の層が同位体層からなる複数の薄膜層を交互に周期的に積層した試料に対してイオンを照射して、照射したイオンによる前記試料を構成する原子に対する影響を評価することを特徴とするイオン照射効果評価方法。
IPC (3件)：
H01L 21/265 ,  H01L 21/00 ,  H01L 21/66
FI (4件)：
H01L21/265 Z ,  H01L21/00 ,  H01L21/66 N ,  H01L21/66 Y
Fターム (9件)：
4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AA10 ,  4M106AB15 ,  4M106AB16 ,  4M106AB17 ,  4M106BA03 ,  4M106BA12 ,  4M106CB01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (9件)
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