排気配管加熱用手段を備えた半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-093235
公開番号（公開出願番号）：特開平11-288927
出願日： 1998年04月06日
公開日（公表日）： 1999年10月19日
要約：

【要約】【課題】断面形状が矩形の角形管等の排気配管や、込み入った管路を形成している枝配管等であっても、均一加熱性が良好で、内部に反応副生成物の堆積を防止でき、かつ、ヒータの取付け作業性が良好で、クリーンルーム内へのパーティクルの発生を防止できる排気配管加熱用手段を設ける。【解決手段】反応室からの排ガスを排気する排気配管の外周部に、排気配管の長手方向の所定長さを単位として一つ以上に分割した長さと、排気配管を充分に挟み込む幅を有する一対の挟み込み用溝付きヒータを用いて排気配管を挟着し、排気配管を均一に加熱して、内部に反応副生成物の付着を防止する。また、加熱ヒータ固定用ピンを排気配管の外周部に設定の間隔で固着し、これに、ひも状または細い帯状の加熱ヒータを保持、固定し、圧着端子方向を揃えて保守点検を容易にする。

請求項（抜粋）：

原料ガスを供給し、化学気相反応により、基板上に半導体もしくは絶縁膜を成長する反応室と、該反応室から排ガスを排気する排気配管を備えた半導体製造装置において、上記反応室からの排ガスを排気する排気配管の外周部に、複数のヒータ取付け用のピンを排気配管の外周部に設定の間隔で固着して設け、上記ピンに、耐熱性のひも状もしくは細い帯状の加熱ヒータのうちから選択される少なくとも1種の加熱ヒータを保持、固定し、上記排気配管を所定の温度に加熱して排気配管の内部に反応副生成物の付着を防止する手段を有することを特徴とする排気配管加熱用手段を備えた半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/31 B , C23C 16/44 J , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (8件)

真空反応処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-347498 出願人：ソニー株式会社
処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-046343 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社
配管用ブロックヒータ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-244849 出願人：日本真空技術株式会社

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