特許
J-GLOBAL ID：200903010958430036

不揮発性半導体メモリ装置及びその動作方法

発明者：
山内 祥光

山内 祥光 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-383170
公開番号（公開出願番号）：特開2003-187584
出願日： 2001年12月17日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
要約：
【要約】【課題】 同一ワード線に配置された複数個のセルにおいて、隣接セルの状態に依存することなく、正確に書き込み後のしきい値を制御することができる不揮発性半導体メモリ装置及びその動作方法を提供すること。【解決手段】 ワード線を共有し、かつビット線を隣接するメモリセルにて共有する複数のメモリセルを有する不揮発性半導体メモリ装置に対して、同一ワードラインに接続される複数のメモリセルのうち、一方端のメモリセルから他方端のメモリセルへ順番に書き込みを行う不揮発性メモリ装置の書き込み方法。
請求項（抜粋）：
ワード線を共有し、かつビット線を隣接するメモリセルにて共有する複数のメモリセルを有する不揮発性半導体メモリ装置に対して、同一ワードラインに接続される複数のメモリセルのうち、一方端のメモリセルから他方端のメモリセルへ順番に書き込みを行うことを特徴とする不揮発性メモリ装置の書き込み方法。
IPC (7件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (5件)：
G11C 17/00 611 G ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 622 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (17件)：
5B025AA01 ,  5B025AB02 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AE08 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP79 ,  5F083ER02 ,  5F083GA15 ,  5F083GA16 ,  5F083KA06 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-149615   出願人：シャープ株式会社
  • 不揮発性半導体メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-198336   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
  • 不揮発性半導体メモリ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-126137   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
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