特許
J-GLOBAL ID:200903011004710522
正極構造及び窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-151288
公開番号(公開出願番号):特開2006-013475
出願日: 2005年05月24日
公開日(公表日): 2006年01月12日
要約:
【課題】 酸素雰囲気下での熱処理や合金化熱処理等を必要とせず、かつ良好な透光性と低接触抵抗を有する電流拡散性に優れた正極構造を提供し、さらにその正極を使用した発光効率の高い半導体発光素子を提供する。【解決手段】 この正極構造は、化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも1種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、金、銀または銅からなる群から選ばれた少なくとも一種の金属もしくはそれらのうち少なくとも1種を含む合金からなる電流拡散層、及びボンデイングパッドからなる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
Inを含む窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の透明正極であって、白金族から選ばれた少なくとも1種類の金属の薄膜からなるコンタクトメタル層と、コンタクトメタル層を構成する金属以外の金属もしくは合金の薄膜からなる電流拡散層の2種類の層、及びボンデイングパッドからなることを特徴とする正極構造。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
, H01L21/28 301B
Fターム (23件):
4M104AA04
, 4M104BB04
, 4M104BB06
, 4M104BB07
, 4M104BB08
, 4M104BB09
, 4M104CC01
, 4M104FF13
, 4M104GG04
, 5F041AA03
, 5F041AA21
, 5F041AA44
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA57
, 5F041CA58
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA91
, 5F041CA92
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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