特許
J-GLOBAL ID：200903084925930525

窒化物半導体発光素子

発明者：
佐野 雅彦

佐野 雅彦 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-359324
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164575
出願日： 2000年11月27日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 カラーレーザプリンターやバーチャルリアリティーなどに用いることができる、スポットサイズが小さくかつ単一モードの発光が得られる発光ダイオードを提供する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層からなる活性層の上にp型窒化ガリウム系化合物半導体層からなるp層を備えた発光ダイオードにおいて、p層の上面の一部を開口させる開口部を有する絶縁膜をp層を覆うように形成し、かつ開口部を介してp層とオーミック接触する透明電極を形成した。
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系化合物半導体層からなる活性層の上にp型窒化ガリウム系化合物半導体層からなるp層を備えた発光ダイオードにおいて、上記p層の上面の一部を開口させる開口部を有する絶縁膜が、上記p層を覆うように形成され、かつ上記開口部を介して上記p層とオーミック接触する透明電極が形成されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01L 29/43
FI (3件)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/46 H
Fターム (31件)：
4M104AA04 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104FF13 ,  4M104GG04 ,  5F041AA14 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA83 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB02 ,  5F041CB16 ,  5F041FF13
引用特許：
審査官引用 (22件)
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