特許

J-GLOBAL ID：200903011108582518

III族窒化物膜、エピタキシャル基板、及び多層膜構造

発明者： 柴田 智彦 ,  田中 光浩 ,  角谷 茂明
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 杉村 興作
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259723
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099337
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】低転位で結晶性に優れた窒化物膜、特にはAl含有窒化物膜を形成する低転位のIII族窒化物膜を簡易に製造する。【解決手段】CVD法における第1の成膜条件でエピタキシャル成長を実施した後、前記第1の成膜条件と異なる第2の成膜条件でエピタキシャル成長を実施して得た、基材の主面から立上った刃状転位が膜中で横方向に屈曲し、前記基材の前記主面と略平行に伝播してなるIII族窒化物膜を下地層として用い、この下地層上に目的とするIII族窒化物膜を形成する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

所定の基材の主面上に形成された、少なくともAlを含むIII族窒化物膜であって、その内部において、刃状転位が前記基材の前記主面から立ち上がった後、前記主面と略平行となるように屈曲し、伝播していることを特徴とする、III族窒化物膜。

IPC (4件)：

C30B29/38 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (4件)：

C30B29/38 C ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C

Fターム (43件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077DB08 ,  4G077DB12 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077TB05 ,  4G077TC01 ,  4G077TC06 ,  4G077TC09 ,  4K030AA18 ,  4K030BA02 ,  4K030BA38 ,  4K030BA55 ,  4K030JA06 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA18 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045EE17 ,  5F045EK27

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-279557   出願人：理化学研究所
• 3-5族化合物半導体とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-082240   出願人：住友化学工業株式会社
• 窒化物系III-V族化合物層の製造方法およびそれを用いた基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-376422   出願人：ソニー株式会社
• III族窒化物膜の製造方法、III族窒化物膜の製造用下地膜、及びその下地膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-314662   出願人：日本碍子株式会社
• 窒化物半導体結晶の製造方法及び窒化物半導体ウエハ並びに窒化物半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-086615   出願人：日立電線株式会社