特許
J-GLOBAL ID：200903019742053847

半導体装置とその製造方法およびその半導体装置を用いた双方向スイッチ素子

発明者：
武井 学

武井 学 について

, 
内藤 達也

内藤 達也 について

, 
根本 道生

根本 道生 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-235001
公開番号（公開出願番号）：特開2005-101551
出願日： 2004年08月12日
公開日（公表日）： 2005年04月14日
要約：
【課題】逆バイアス時の逆漏れ電流と順バイアス時のオン電圧が共に低減できる半導体装置およびその製造方法とそれを用いた双方向スイッチ素子を提供する。 【解決手段】逆阻止IGBTのpベース領域3に挟まれたn- ドリフト領域1の露出した箇所の一部領域とエミッタ電極10の一部領域をショットキー接触(ショットキー接合11)させることで、逆漏れ電流とオン電圧を共に低減することができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板における第1導電型のドリフト領域と、該ドリフト領域の表層部に選択的に形成される第2導電型のベース領域と、該ベース領域での表層部に形成される第1導電型のエミッタ領域と、前記ベース領域の一部領域および前記エミッタ領域の一部領域に対しゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ベース領域の一部領域および前記エミッタ領域の一部領域と接するエミッタ電極と、前記ドリフト領域の裏面部に形成される第2導電型のコレクタ領域と、該コレクタ領域と前記ドリフト領域の側面に接して形成される第2導電型の分離領域と、前記コレクタ領域上に形成されるコレクタ電極とを具備する半導体装置において、 前記半導体基板の上面にドリフト領域を露出させ、露出させたドリフト領域の一部領域と、エミッタ電極の一部領域とをショットキー接触させることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/417 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872
FI (7件)：
H01L29/78 655F ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 657A ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/48 M ,  H01L29/50 M
Fターム (8件)：
4M104AA01 ,  4M104BB03 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (13件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM