低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：東田潔 , 山下雅昭 , 打揚洋次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-271253
公開番号（公開出願番号）：特開2005-033027
出願日： 2003年07月07日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】 SiOCH或いはSiOC系材料で多孔室材料を含む低誘電率層間絶縁膜をドライエッチングする場合に、エッチングストップ現象や残渣が生じることがなく、層間絶縁膜にダメージを与えることがないと共に、処理基板に対する面積依存性が小さくできるドライエッチングプロセスを提供する。【解決手段】窒素を主ガスとし、この窒素にフロロカーボンを添加した混合ガスによってエッチングを行う。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

SiOCH或いはSiOC系材料から構成される低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法において、窒素を主ガスとし、この窒素にフロロカーボンを添加した混合ガスによってエッチングすることを特徴とする低誘電率層間絶縁膜のドライエッチング方法。

IPC (1件)：

H01L21/3065

FI (1件)：

H01L21/302 105A

Fターム (7件)：

5F004AA09 , 5F004BA04 , 5F004BB18 , 5F004DA00 , 5F004DA25 , 5F004DB23 , 5F004EB01

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-184806 出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (3件)

エッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-303422 出願人：東京エレクトロン株式会社
低容量の誘電体層をエッチングするための技術
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-616058 出願人：ラム・リサーチ・コーポレーション
誘電体薄膜のエッチング方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-358171 出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

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