特許

J-GLOBAL ID：200903011234388506

プラズマ処理装置及び方法

発明者： 矢代 陽一郎 ,  奥村 智洋 ,  木村 忠司 ,  齋藤 光央
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-033393
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347284
出願日： 2003年02月12日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課題】 マスクパターンを用いずに、低コストで微小領域を処理し、パターンを形成することができるプラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 第1の電極1と第2の電極2を対向配置して両電極の間に放電空間Sを形成し、放電空間Sにガス供給手段6にてガスを供給しつつ第1の電極1に高周波電源3にて高周波電力を印加することで放電空間Sにプラズマを発生させ、放電空間Sの開口部7に近接して基板8などの被処理物を臨ませて移動装置10にて相対移動させることにより、マスクパターンを用いずに任意のパターンのプラズマ処理を行うようにした。

請求項（抜粋）：

高周波電源と、高周波電源に接続された第1の電極と第1の電極に対向する第2の電極と第1と第2の電極間のプラズマ放電を生成するための放電空間とを備えたプラズマ発生部と、放電空間にガスを供給するガス供給装置と、放電空間の圧力が100Pa〜200kPaでかつ放電空間の圧力Pと放電空間の厚みDとの積PDを0.1〜120(Pa・m)となるように制御する制御装置と、プラズマ発生部と被処理物を相対移動させる移動装置とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/24

FI (5件)：

B01J 19/08 E ,  C23C 16/505 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/24 ,  H01L 21/302 101 E

Fターム (41件)：

4G075AA29 ,  4G075AA30 ,  4G075AA62 ,  4G075BC01 ,  4G075BC06 ,  4G075CA15 ,  4G075CA25 ,  4G075CA62 ,  4G075CA63 ,  4G075DA02 ,  4G075DA12 ,  4G075DA18 ,  4G075EB42 ,  4G075ED04 ,  4G075ED13 ,  4K030CA17 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030GA14 ,  4K030JA01 ,  4K030JA09 ,  4K030JA18 ,  4K030LA11 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA02 ,  5F004DB23 ,  5F004EA38 ,  5F045AA08 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045BB08 ,  5F045DB09 ,  5F045DC70 ,  5F045EH13 ,  5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 放電プラズマ処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-369483   出願人：積水化学工業株式会社
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-226037   出願人：松下電工株式会社
• 表面処理方法及び装置、圧電素子の製造方法、インクジェット用プリントヘッドの製造方法、液晶パネルの製造方法、並びにマイクロサンプリング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-317025   出願人：セイコーエプソン株式会社
• プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-017930   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• プラズマ処理装置及びプラズマ点灯方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-193415   出願人：松下電工株式会社
• プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-343909   出願人：松下電器産業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 半導体ドライエッチング技術, 19921006, 第1版, p.242-243