特許
J-GLOBAL ID:200903011427962544

半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-298500
公開番号(公開出願番号):特開2009-124047
出願日: 2007年11月16日
公開日(公表日): 2009年06月04日
要約:
【課題】この発明は、ボンディングを行う際のボンディングヘッド等の動作を適切に制御することができる半導体装置の製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ヒータ14を内蔵したボンディングヘッド12と、ステージ10と、ボンディングヘッド12の下降量を適切に設定するための設備を備える製造装置が提供される。カメラ20は、ボンディングヘッド12が第1のボンディング対象物を保持し且つステージ10が第2のボンディング対象物を載せた状態であって、第1、2のボンディング対象物を接触させる前の状態で、ボンディングヘッド12とステージ10との間の隙間を撮影することができる。制御部23は、カメラ20の撮影画像に基づいてボンディングヘッド12の下降量を算出し、算出した下降量に従ってボンディングヘッド12を下降させる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ボンディングすべき第1のボンディング対象物を保持することができるボンディングヘッドと、 前記第1のボンディング対象物とボンディングして接合すべき第2のボンディング対象物を載せることができるステージと、 前記ボンディングヘッドと前記ステージの少なくとも一方に備えられたヒータと、 前記ボンディングヘッドおよび前記ステージのうち前記ヒータが設けられている少なくとも一方に接触するボンディング対象物をバンプ形成材料の溶融点以上の温度にすることができる程度の熱量を発するように、前記ヒータの出力を調整する温度調整手段と、 前記ボンディングヘッドが前記第1のボンディング対象物を保持し且つ前記ステージが前記第2のボンディング対象物を載せた状態であって、バンプを介して前記第1のボンディング対象物を前記第2のボンディング対象物に接合させる前の状態で、該第1及び第2のボンディング対象物に対して測定を行う測定手段と、 前記測定手段による測定の結果に基づき、前記ボンディングヘッドと前記ステージとを近接させる量を決定する決定手段と、 前記温度調整手段により前記ヒータが前記熱量を発している状態で、前記決定手段により制御されて、前記第1及び第2のボンディング対象物を離間して該ボンディングヘッドと該ステージとを対向させた状態から前記ボンディングヘッドと前記ステージとを近づけ、前記バンプを介して前記第1のボンディング対象物を前記第2のボンディング対象物に接合させる位置制御手段と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造装置。
IPC (1件):
H01L 21/60
FI (1件):
H01L21/60 311T
Fターム (10件):
5F044KK01 ,  5F044KK16 ,  5F044LL01 ,  5F044PP02 ,  5F044PP03 ,  5F044PP09 ,  5F044PP16 ,  5F044PP17 ,  5F044PP19 ,  5F044QQ01
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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