特許
J-GLOBAL ID：200903029086419800
半導体装置の実装方法及び実装装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-304105
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110740
出願日： 2000年10月03日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体装置の実装方法及び装置に係り、半田バンプを有する半導体装置の基板上へのフリップチップボンディングを高い信頼性で行うようにすることを課題とする。【解決手段】 最初に、レーザ発光センサ15及びレーザ受光センサ16を使用して、ステージ11上の基板40の上面40aの高さ位置の座標Z10を検出する。次いで、半導体素子43の下面43aの高さの座標Z12を検出する。次いで、ボンディングツール13を下降させ、座標Z12が減って、座標Z10+50と一致した高さ位置に停止させる。この状態で、溶融状態の半田バンプを凝固させる。
請求項（抜粋）：
半導体素子の下面に半田バンプが形成してある半導体装置を下降させて、基板上にフリップチップボンディングする実装方法において、上記半導体素子と上記基板との間の隙間が溶融前の上記半田バンプの高さ寸法の30〜70%となるように、上記半導体装置の上記基板に対する高さ位置を制御するようにしたことを特徴とした半導体装置の実装方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/60 311 T
5F044LL00
, 5F044PP16
, 5F044PP17
