ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-174041
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173560
出願日： 2005年06月14日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】III族窒化物堆積物の影響を低減できるMOCVD装置用ウエハガイドを提供する。【解決手段】ウエハ支持具15は、一又は複数の第1の部分15aと、第1の部分15aを囲む第2の部分15bとを有している。第1の部分15aの各々は、窒化物系半導体を堆積するウエハ19を支持する面を有する。ウエハガイド17はMOCVD11および13においてウエハ支持具15の第2の部分15b上に設けられている。ウエハガイド17は、第2の部分15bを覆うためのプロテクタ17aと、ウエハ19を第1の部分15aに受け入れるための一又は複数の開口17bとを備える。プロテクタ17aは、開口17bを規定すると共にウエハ19をガイドするための側面17cを有する。ウエハガイド17は開口17bの各々にウエハ19を受け入れ、ウエハ19は開口17bの各々に現れたウエハ支持部15の第1の部分15aの支持面上に搭載される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

窒化物系半導体を成長する有機金属気相成長装置に用いるウエハ支持具のためのウエハガイドであって、前記ウエハ支持具は、窒化物系半導体を成長するウエハを支持する一又は複数の第1の部分と前記第1の部分を囲む第2の部分とを有しており、前記ウエハガイドは前記有機金属気相成長装置において前記ウエハ支持具上に設けられており、前記ウエハガイドは、前記ウエハ支持具の前記第2の部分を覆うためのプロテクタと、窒化物系半導体を成長するウエハを前記ウエハ支持具の前記第1の部分に受け入れるための一又は複数の開口とを備え、前記プロテクタは、前記開口を規定すると共に前記ウエハをガイドするための側面を有する、ことを特徴とするウエハガイド。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 21/68 , H01L 21/683

FI (3件)：

H01L21/205 , H01L21/68 G , H01L21/68 N

Fターム (26件)：

5F031CA02 , 5F031HA02 , 5F031HA37 , 5F031HA38 , 5F031HA42 , 5F031HA59 , 5F031KA03 , 5F031KA13 , 5F031KA20 , 5F031MA28 , 5F031NA05 , 5F031PA06 , 5F031PA20 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC12 , 5F045BB06 , 5F045BB14 , 5F045CA07 , 5F045CA10 , 5F045DP15 , 5F045EM01 , 5F045EM09 , 5F045EN08

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子の製造装置および光送信モジュールおよび光送受信モジュールおよび光通信システム
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-140996 出願人：株式会社リコー

審査官引用 (8件)

特開昭63-018618
特開昭63-018618
コーティング装置又はエッチング装置の真空チャンバ内で扁平の円板状サブストレートを保持する装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-028064 出願人：ライボルトアクチエンゲゼルシヤフト

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