特許

J-GLOBAL ID：200903011471779277

薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに薄膜トランジスタアレイ及び薄膜トランジスタディスプレイ

発明者： 石崎 守 ,  喜納 修 ,  中村 隆一 ,  松原 亮平 ,  大久保 透
出願人/特許権者： 凸版印刷株式会社
代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-102397
公開番号（公開出願番号）：特開2006-286772
出願日： 2005年03月31日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：

【課題】 リーク電流が少なく、画像を安定させるために効果的なキャパシタを具備した薄膜トランジスタ装置を簡単な工程で、安価に提供する。【解決手段】 平面視的配置において、ソース電極が孤立島パターンをなし、ドレイン電極が該ソース電極を取り囲むように配置されており、さらにゲート電極が該ソース電極とドレイン電極の間隙を埋める位置に配置されてなり、かつ層間絶縁膜中のビアホールによって画素電極とソース電極間および画素電極とキャパシタ上部電極間が接続されている薄膜トランジスタ装置とする。また、この薄膜トランジスタ装置をマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイとする。さらにこの薄膜トランジスタアレイと対向基板とで液晶層を挟んだ液晶ディスプレイとする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成されたゲート電極およびキャパシタ下部電極とを有し、その上に形成されたゲート絶縁膜を介して半導体層が配置されており、該半導体層上に接してソース電極、ドレイン電極およびキャパシタ上部電極とを有し、さらにその上に形成された層間絶縁膜を介して画素電極を有する薄膜トランジスタ装置であって、 平面視的配置において、前記ソース電極が孤立島パターンをなし、前記ドレイン電極が該ソース電極を取り囲むように配置されており、さらに前記ゲート電極が該ソース電極とドレイン電極の間隙を埋める位置に配置されてなり、 かつ前記層間絶縁膜中のビアホールによって画素電極とソース電極間および画素電極とキャパシタ上部電極間が接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 616T ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338 ,  H01L29/78 612Z

Fターム (69件)：

2H092GA12 ,  2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JB01 ,  2H092JB11 ,  2H092JB21 ,  2H092JB41 ,  2H092KA01 ,  2H092KA11 ,  2H092KB11 ,  2H092MA01 ,  2H092MA13 ,  2H092MA14 ,  2H092NA27 ,  2H092PA06 ,  5C094AA25 ,  5C094AA44 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094BA75 ,  5C094DA13 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE24 ,  5F110EE42 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HL02 ,  5F110HL07 ,  5F110HM04 ,  5F110NN02 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN36 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP1996003815   出願人：株式会社日立製作所
• 液晶表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-236210   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-302774   出願人：富士ゼロックス株式会社

審査官引用 (6件)

• アクティブマトリクス液晶表示素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-334210   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-270849   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 薄膜トランジスタ、画像表示素子および画像表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-245322   出願人：奇美電子股ふん有限公司
• 半導体装置及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-228944   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-293212   出願人：株式会社日立製作所
• 電気回路の製造方法及び該方法で製造した電気回路、有機薄膜トランジスタの製造方法、該方法で製造した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-176201   出願人：コニカミノルタエムジー株式会社