半導体装置及びその作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-228944
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053283
出願日： 1999年08月12日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置ならびに半導体装置において、TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現することを目的としている。【解決手段】基板上に逆スタガ型のTFT上に無機材料から成る第1の層間絶縁層と、第1の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第2の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを設け、前記基板の端部に他の基板の配線と電気的に接続する入力端子部とを有し、該入力端子部は、ゲート電極と同じ材料から成る第1の層と、画素電極と同じ材料から成る第2の層とから形成されていることを特徴としている。このような構成とすることで、フォトリソグラフィー技術で使用するフォトマスクの数を5枚とすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、非晶質構造を有する半導体層で形成されたチャネル形成領域と、一導電型の不純物元素を含有する半導体層で形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記非晶質構造を有する半導体層と前記基板との間に形成されたゲート電極とを有する薄膜トランジスタを設けた半導体装置において、前記非晶質構造を有する半導体層及び一導電型の不純物元素を含有する半導体層上に形成され、前記チャネル形成領域の少なくとも一部に接して形成された無機材料から成る第1の層間絶縁層と、前記第1の層間絶縁膜上に形成された有機材料から成る第2の層間絶縁層と、前記第2の層間絶縁層に接して形成された画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , G02F 1/1365

FI (3件)：

H01L 29/78 619 A , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 612 C

Fターム (84件)：

2H092JA26 , 2H092JA29 , 2H092JA38 , 2H092JA42 , 2H092JA44 , 2H092JB13 , 2H092JB23 , 2H092JB32 , 2H092JB33 , 2H092JB38 , 2H092JB51 , 2H092JB57 , 2H092JB63 , 2H092JB69 , 2H092KA16 , 2H092KA18 , 2H092KB14 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA16 , 2H092MA18 , 2H092MA19 , 2H092MA20 , 2H092MA23 , 2H092MA27 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092MA41 , 2H092NA25 , 2H092NA29 , 2H092PA03 , 2H092PA05 , 2H092PA06 , 2H092QA07 , 2H092RA05 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE23 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG02 , 5F110GG04 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110HJ01 , 5F110HJ17 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK22 , 5F110HL07 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN46 , 5F110NN47 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ09

引用特許：

審査官引用 (12件)

液晶表示装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-170401 出願人：日本電気株式会社
表示装置用アレイ基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-260572 出願人：株式会社東芝
特開平2-263474

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