特許
J-GLOBAL ID：200903011477493308
ポリイミド樹脂の無機薄膜パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-203786
公開番号（公開出願番号）：特開2005-045236
出願日： 2004年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月17日
要約：
【課題】 無機薄膜を密着信頼性及びパターン精度高くポリイミド樹脂表面に形成することができるポリイミド樹脂の無機薄膜パターン形成方法を提供する。【解決手段】 (1)ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程。(2)前記カルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程。(3)前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程。これらの工程から、ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ポリイミド樹脂の表面に無機薄膜を形成するにあたって、(1)ポリイミド樹脂の無機薄膜形成部位にアルカリ水溶液を塗布し、ポリイミド樹脂のイミド環を開裂してカルボキシル基を生成する工程、(2)前記カルボキシル基を有するポリイミド樹脂に金属イオン含有溶液を接触させてカルボキシル基の金属塩を生成する工程、(3)前記金属塩を金属として、もしくは金属酸化物或いは半導体として、ポリイミド樹脂表面に析出させて無機薄膜を形成する工程、とを有することを特徴とするポリイミド樹脂の無機薄膜パターン形成方法。
IPC (3件)：
H05K3/18
, C08J7/02
, H05K3/38
H05K3/18 B
, H05K3/18 J
, C08J7/02 B
, H05K3/38 A
4F073AA27
, 4F073BA31
, 4F073EA01
, 4F073EA11
, 4F073EA41
, 5E343AA18
, 5E343BB23
, 5E343BB24
, 5E343BB25
, 5E343BB34
, 5E343BB35
, 5E343BB40
, 5E343BB48
, 5E343BB49
, 5E343CC43
, 5E343DD33
, 5E343DD63
, 5E343EE39
, 5E343ER07
, 5E343GG02
, 5E343GG08
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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