特許
J-GLOBAL ID：200903011663845419

基板キャパシタ形成に適した化学機械的研磨による自動整列パターンの形成方法

発明者：
マイケル ジー リー

マイケル ジー リー について

, 
ソロモン アイ ベイリン

ソロモン アイ ベイリン について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-345293
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261014
出願日： 1998年12月04日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 本発明は研磨工程を用いて自動整列された層を形成する方法の提供を目的とする。【解決手段】 既存層のパターンに整合し、既存層の高/低部分に対応した高/低部分が設けられ、低部分は既存層の高部分よりも低くなるよう第1の層が既存層上に形成され、第1の層のパターンに整合し、第1の層の高/低部分に対応した高/低部分が設けられ、第1の層とは異なる材料の研磨停止層を第1の層の上に形成し、既存層の高部分を露出させるべく第1の層及び研磨停止層の高部分が除去され、研磨後に残る第1の層の露出パターンが既存層の露出パターンに自動整列されるよう整合的な第1の層及び研磨停止層を研磨する。
請求項（抜粋）：
基板に形成された既存層のパターンは上記基板の表面から第1の高さで離間した低い部分と、上記基板の表面から上記第1の高さ以上の第2の高さで離間した高い部分とを有し、上記第1の高さと上記第2の高さの差は距離Dとして表される場合に、上記基板に既に形成された上記既存層の上に、上記既存層のパターンに相補的な自動整列されたパターンを具備した層を形成する方法において、(a)第1の層が上記既存層のパターンに実質的に整合し、上記既存層のパターンを再生し、上記既存層の上記高い部分及び上記低い部分の場所に夫々に実質的に対応した場所に高い部分及び低い部分が設けられ、上記第1の層の上記低い部分は上記既存層の上記高い部分よりも低くなるように、上記既存層の材料の化学組成とは異なる化学組成を有する第1の材料を含む第1の層を上記既存層の上に形成する段階と、(b)研磨停止層が上記第1の層のパターンに実質的に整合し、上記第1の層のパターンを再生し、上記第1の層の上記高い部分及び上記低い部分の場所に夫々に実質的に対応した場所に高い部分及び低い部分が設けられるように、上記第1の層の材料の上記化学組成とは異なる化学組成を有する第2の材料を含む研磨停止層を上記第1の層の上に形成する段階と、(c)上記既存層の上記高い部分を露出させるべく上記第1の層の上記高い部分及び上記研磨停止層の高い部分が除去され、研磨工程の後に残される上記第1の層の露出したパターンが上記既存層の上記露出されたパターンに自動整列されるように上記整合的な第1の層及び研磨停止層を研磨する段階とを含む方法。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01G 9/00 ,  H01L 21/304 622
FI (3件)：
H01L 27/04 C ,  H01G 9/00 ,  H01L 21/304 622 X
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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