特許
J-GLOBAL ID：200903011755402157

シリカ系被膜形成用組成物

発明者：
飯田 啓之

飯田 啓之 について

, 
高濱 昌

高濱 昌 について


出願人/特許権者：
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-116281
公開番号（公開出願番号）：特開2006-291106
出願日： 2005年04月13日
公開日（公表日）： 2006年10月26日
要約：
【課題】 低誘電率であり、電気特性の良く、かつ膜厚均一性の良いシリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物を提供する。【解決手段】 シリカ系被膜形成用組成物において、シロキサンポリマーと、アルカリ金属化合物と、空孔形成用材料とを含む。このシロキサンポリマーとしては、加水分解性基を有するシラン化合物の加水分解、部分縮合物が好適に用いられる。アルカリ金属化合物としては、ナトリウム、カリウム、ルビジウム等の硝酸塩、硫酸塩,炭酸塩、酸化物、窒化物、ハロゲン物、水酸化物等が用いられる。空孔形成用材料としては、ポリアルキレングリコールおよびその末端アルキル化物が好適に用いられる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
シロキサンポリマーと、アルカリ金属化合物と、空孔形成用材料とを含むことを特徴とするシリカ系被膜形成用組成物。
IPC (4件)：
C08L 83/04 ,  C08K 3/00 ,  C08L 71/02 ,  H01L 21/312
FI (4件)：
C08L83/04 ,  C08K3/00 ,  C08L71/02 ,  H01L21/312 C
Fターム (15件)：
4J002CH02X ,  4J002CP03W ,  4J002DE186 ,  4J002DE286 ,  4J002DF036 ,  4J002DG036 ,  4J002DH046 ,  4J002EG026 ,  4J002GQ01 ,  5F058AA10 ,  5F058AC03 ,  5F058AD05 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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