特許
J-GLOBAL ID：200903018840788581
シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜及びその形成方法、並びにシリカ系被膜を備える電子部品
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068544
公開番号（公開出願番号）：特開2004-277501
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】低誘電性に優れると共に、充分な機械的強度を有し、従来に比して低温、短時間で硬化可能なシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。【解決手段】(a)成分:一般式(1)で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、(b)成分:少なくとも1種の非プロトン性溶媒を含む有機溶媒と、(c)成分:オニウム塩と、を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
(a)成分:下記一般式(1);
R1nSiX4-n ...(1)
[式中、R1はH原子若しくはF原子、又はB原子、N原子、Al原子、P原子、Si原子、Ge原子若しくはTi原子を含む基、又は炭素数1〜20の有機基を示し、Xは加水分解性基を示し、nは0〜2の整数を示す。但し、nが2のとき、各R1は同一でも異なっていてもよく、nが0〜2のとき、各Xは同一でも異なっていてもよい。]、
で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、
(b)成分:少なくとも1種の非プロトン性溶媒を含む有機溶媒と、
(c)成分:オニウム塩と、
を含有してなるシリカ系被膜形成用組成物。
IPC (3件)：
C09D183/04
, C09D5/25
, C09D183/02
C09D183/04
, C09D5/25
, C09D183/02
4J038DL031
, 4J038DL032
, 4J038DL061
, 4J038DL071
, 4J038DL081
, 4J038DL091
, 4J038JA25
, 4J038JA32
, 4J038JB01
, 4J038KA04
, 4J038KA06
, 4J038NA17
, 4J038NA21
, 4J038PA19
, 4J038PB09
