レジスト下層膜形成用組成物

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：小島清路 , 萩野義昇 , 谷口直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-190136
公開番号（公開出願番号）：特開2009-025670
出願日： 2007年07月20日
公開日（公表日）： 2009年02月05日
要約：

【課題】埋め込み性に優れており、且つ昇華物量が少なく、反射防止機能及びエッチング耐性に優れるレジスト下層膜を形成できるレジスト下層膜形成用組成物を提供する。【解決手段】本レジスト下層膜形成用組成物は、下記一般式(1)〜(3)で表される各繰り返し単位を有する重合体と溶剤とを含有する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(A)下記一般式(1)で表される繰り返し単位、下記一般式(2)で表される繰り返し単位、及び下記一般式(3)で表される繰り返し単位を有する重合体と、 (B)溶剤と、を含有することを特徴とするレジスト下層膜形成用組成物。

IPC (3件)：

G03F 7/11 , C08F 232/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F7/11 503 , C08F232/08 , H01L21/30 502R

Fターム (32件)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA18 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025CA48 , 2H025CB08 , 2H025CB15 , 2H025CB16 , 2H025CC17 , 2H025DA23 , 2H025DA34 , 4J100AB02R , 4J100AB07R , 4J100AM21Q , 4J100AR09P , 4J100BA03P , 4J100BA03Q , 4J100BA03R , 4J100BA04Q , 4J100CA05 , 4J100DA01 , 4J100FA03 , 4J100FA19 , 4J100FA28 , 4J100GC07 , 4J100GC16 , 4J100GC25 , 4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (7件)

反射防止膜形成組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-325670 出願人：ジェイエスアール株式会社
反射防止膜形成組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-220429 出願人：ジェイエスアール株式会社
アセナフチレン誘導体、重合体および反射防止膜形成組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-283561 出願人：JSR株式会社

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