特許
J-GLOBAL ID：200903002575626929

レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法

発明者：
畠山 潤

畠山 潤 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-212005
公開番号（公開出願番号）：特開2005-250434
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2005年09月15日
要約：
【課題】多層レジストプロセス用、特には2層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料であって、特に短波長の露光に対して、優れた反射防止膜として機能し、すなわち透明性が高く、最適なn値、k値を有し、しかも基板加工におけるエッチング耐性に優れたレジスト下層膜材料を提供する。【解決手段】リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、アセナフチレン類の繰り返し単位と、置換又は非置換のヒドロキシ基を有する繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、少なくとも、アセナフチレン類の繰り返し単位と、置換又は非置換のヒドロキシ基を有する繰り返し単位とを共重合してなる重合体を含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。
IPC (4件)：
G03F7/11 ,  C08F232/08 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/11 503 ,  C08F232/08 ,  G03F7/40 521 ,  H01L21/30 502R
Fターム (47件)：
2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA34 ,  2H025FA35 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096CA06 ,  2H096HA07 ,  2H096HA23 ,  2H096HA24 ,  2H096JA04 ,  2H096KA19 ,  4J100AB07Q ,  4J100AD00Q ,  4J100AD02Q ,  4J100AD03Q ,  4J100AE09Q ,  4J100AE21Q ,  4J100AG18Q ,  4J100AL09Q ,  4J100AM21Q ,  4J100AM47Q ,  4J100AR05Q ,  4J100AR09P ,  4J100AR09Q ,  4J100AR11Q ,  4J100AR32Q ,  4J100AR33Q ,  4J100AU21Q ,  4J100BA02Q ,  4J100BA03Q ,  4J100BA10Q ,  4J100BA15Q ,  4J100BA20Q ,  4J100BC04Q ,  4J100BC54Q ,  4J100CA04 ,  4J100DA01 ,  4J100DA04 ,  4J100FA03 ,  4J100FA19 ,  4J100JA38
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (8件)
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