半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-223078
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063980
出願日： 2002年07月31日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】銅を主成分とする主導体膜を含む埋込配線の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体基板上の絶縁膜25に配線溝を形成する。それから、配線溝の底面および側面上を含む絶縁膜25上に導電性バリア膜27を形成し、導電性バリア膜27上にシード膜を形成する。そして、シード膜上に銅を主成分とする主導体膜29をめっき法で形成する。その後、400°C以上の温度で第1の熱処理を行い、主導体膜29の結晶粒を成長させる。絶縁膜25上の不要な導電性バリア膜27、シード膜および主導体膜29を除去し、配線溝内に導電性バリア膜27、シード膜および主導体膜29を残すことにより、配線40を形成する。それから、100〜250°Cの範囲内の温度で第2の熱処理を行う。このように第1の熱処理よりも低い温度で第2の熱処理を行うことで、配線40中の応力を緩和させる。そして、配線40が埋込まれた絶縁膜25上に絶縁膜41を形成する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法; (a)半導体基板上に第1絶縁膜を形成する工程、 (b)前記第1絶縁膜に配線開口部を形成する工程、 (c)前記配線開口部内を埋め込むように、銅を主成分とする第1導体膜を形成する工程、 (d)前記(c)工程後に、400°C以上の温度で第1熱処理を行う工程、 (e)前記(d)工程後に、100〜250°Cの範囲内の温度で第2熱処理を行う工程。

IPC (1件)：

H01L21/3205

FI (1件)：

H01L21/88 M

Fターム (81件)：

5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH11 , 5F033HH12 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH21 , 5F033HH23 , 5F033HH25 , 5F033HH26 , 5F033HH27 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH34 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ11 , 5F033JJ12 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ23 , 5F033JJ26 , 5F033JJ27 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK07 , 5F033KK11 , 5F033KK12 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK21 , 5F033KK23 , 5F033KK25 , 5F033KK26 , 5F033KK27 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK34 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM05 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP06 , 5F033PP07 , 5F033PP15 , 5F033PP17 , 5F033PP21 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ70 , 5F033QQ73 , 5F033QQ75 , 5F033QQ84 , 5F033QQ85 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR05 , 5F033RR06 , 5F033RR11 , 5F033TT02 , 5F033TT08 , 5F033WW03 , 5F033XX06 , 5F033XX10 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX19

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-093184 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-350393 出願人：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-236139 出願人：株式会社日立製作所

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