半導体装置の作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-048755
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329668
出願日： 2002年02月25日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】半導体膜の結晶化法として、レーザ光の照射により行う方法が挙げられる。しかしながら、半導体膜にレーザ光を照射すると、半導体膜が瞬間的に溶融されて局所的に膨張したり、基板と半導体膜との温度勾配が急峻であるため前記半導体膜に歪みが生じ、得られる結晶質半導体膜の膜質を低下させてしまう場合がある。【解決手段】本発明は、半導体膜に対してレーザ光による結晶化を行った後に、加熱処理により前記半導体膜を加熱することで、前記半導体膜の歪みを低減することを特徴とする。レーザ光による照射が局所的に加熱するのに対し、加熱処理は基板および半導体膜を全体的に加熱するため、半導体膜に形成された歪みが低減され、該半導体膜の物性を向上することを可能とする。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶質半導体膜を形成し、加熱処理を行なって、前記レーザ光の照射により前記結晶質半導体膜に形成された歪みを低減し、前記加熱処理後の前記結晶質半導体膜にエッチングを行なって島状の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (7件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/26 , H01L 21/268 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (7件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , H01L 21/268 F , H01L 21/324 X , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 F , H01L 21/26 F

Fターム (102件)：

2H092JA24 , 2H092JA28 , 2H092KA04 , 2H092MA29 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052AA24 , 5F052BA02 , 5F052BA04 , 5F052BA07 , 5F052BA16 , 5F052BB01 , 5F052BB02 , 5F052BB03 , 5F052BB04 , 5F052BB05 , 5F052BB06 , 5F052BB07 , 5F052CA01 , 5F052CA07 , 5F052CA08 , 5F052DA02 , 5F052DA03 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052EA15 , 5F052EA16 , 5F052FA06 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA08 , 5F110AA17 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110CC06 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE28 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG25 , 5F110GG32 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN73 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP29 , 5F110QQ04 , 5F110QQ19 , 5F110QQ23 , 5F110QQ24 , 5F110QQ25

引用特許：

審査官引用 (15件)

多結晶珪素作製装置およびその動作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-336058 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
結晶性半導体薄膜及びその作製方法並びに半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-199658 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
特開平3-089517

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