特許
J-GLOBAL ID：200903001448930280
セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371522
公開番号（公開出願番号）：特開2004-207304
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2004年07月22日
要約：
【課題】良好な特性を有するセラミックス膜の製造方法、およびこの製造方法により得られるセラミックス膜を提供する。セラミックス膜と電極との間の界面を改善し、疲労特性を向上させることができる強誘電体キャパシタの製造方法、およびこの製造方法により得られる強誘電体キャパシタを提供する。このセラミックス膜または強誘電体キャパシタが適用された半導体装置を提供する。【解決手段】基体10上に下部電極20を形成し、複合酸化物を含む原材料体30を、2気圧以上に加圧され、かつ体積比10%以下の酸素を含む雰囲気中および100°C/分以下の昇温速度の条件で熱処理することにより、下部電極20の上に複合酸化物を構成する第1金属と該下部電極20を構成する第2金属との化合物からなる下部合金膜24を形成するとともに、下部合金膜24の上に原材料体30が結晶化されたセラミックス膜40を形成し、セラミックス膜40の上に上部電極50を形成することを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複合酸化物を含む原材料体を、2気圧以上に加圧され、かつ体積比10%以下の酸素を含む雰囲気中で熱処理することにより結晶化させることを含む、セラミックス膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L27/10 444Z
, H01L21/316 P
, H01L27/10 444A
5F058BA11
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BF46
, 5F058BH01
, 5F083FR05
, 5F083FR10
, 5F083GA21
, 5F083GA29
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083JA44
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083PR34
