特許

J-GLOBAL ID：200903012450860488

積層構造体及びその製造方法、電子素子、表示装置

発明者： 友野 英紀 ,  田野 隆徳 ,  近藤 浩 ,  近藤 均
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 丸山 隆夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-238881
公開番号（公開出願番号）：特開2006-059936
出願日： 2004年08月18日
公開日（公表日）： 2006年03月02日
要約：

【課題】 微細なパターンを良好な精度で形成可能な積層構造体と、積層構造体を用いた微細で良好なパターン精度を有する電子素子及び表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】 積層構造体は、有機半導体層104と、有機半導体層104に接触する電極層103と、電極層103に接続される配線層102とからなる積層構造体であって、電極層103と配線層102とが異なる材料からなり、かつ、配線層102と有機半導体層104とは積層されないことで、パターニング精度が高く素子性能の安定した積層構造体を形成することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機半導体層と、前記有機半導体層に接触する電極層と、前記電極層に接続される配線層からなる積層構造体であって、 前記電極層と前記配線層とが異なる材料からなり、 かつ、配線層と前記有機半導体層とは積層されないことを特徴とする積層構造体。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 616K ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/28

Fターム (28件)：

5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE01 ,  5F110EE03 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ06

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-187318   出願人：株式会社リコー
• アクティブマトリクス基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-064576   出願人：松下電器産業株式会社
• 導電膜パターンの形成方法および電気光学装置、電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-197801   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特公平6-038491号公報
  
• 特公平6-038492号公報
  

審査官引用 (7件)

• 有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-315828   出願人：パイオニア株式会社
• 特開昭63-014472
  
• 特開昭63-014472
  
• 有機TFT装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-051247   出願人：コニカ株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-267054   出願人：富士写真フイルム株式会社
• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-081160   出願人：凸版印刷株式会社
• 特開昭63-014472