特許
J-GLOBAL ID：200903012528537727
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-007666
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209391
出願日： 1997年01月20日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】蓄積容量が大きくかつ耐圧と信頼性が高いスタック型キャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】下地となる絶縁膜のコンタクトホール上に、スタック型キャパシタのRu蓄積ノード電極を形成する際、その側壁に90度以上110度以下のテーパー角を設け、コンタクトホールの内部表面上にRu蓄積ノード電極を形成し、さらに側壁の上部周辺領域のRu膜をSOGマスクを用いた縦方向エッチングにより除去することにより、その上に(Ba,Sr)TiO3 薄膜からなる均一なスタック型キャパシタ絶縁膜を容易に形成することことができる。このようにして耐圧の高いスタック型キャパシタが得られる。また従来の方法に比べて、リソグラフィの限界以上に蓄積ノード間を近付けることも容易となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された凹部と、前記凹部の底面と内壁に隣接して形成された導電膜と、前記導電膜は、前記凹部の上部周辺領域に形成された部分が除去されたものであることと、前記半導体基板の上部表面と前記凹部の上部周辺領域に露出した内壁と前記導電膜を覆うように形成された絶縁膜とが含まれたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 27/04
, H01L 21/822
H01L 27/10 621 C
, H01L 27/04 C
, H01L 27/10 651
