特許
J-GLOBAL ID：200903012558541125
半導体装置、及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
, 福田 浩志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-301019
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140037
出願日： 2002年10月15日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：
【課題】実装面積の小面積化を図ったマルチチップ化した半導体装置、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】集積回路が形成された表面及び裏面を有し、積層された複数の半導体チップ(1st半導体チップ10、2nd半導体チップ)と、複数の半導体チップの集積回路間を電気的に接続する第1の配線(再配線層16、26、メタルポスト配線18、28)と、第1の配線と電気的に接続された外部端子(ボール電極46)と、複数の半導体チップ及び前記第1の配線を封止する封止樹脂(封止樹脂40)と、を備える半導体装置、及びその製造方法である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
集積回路が形成された表面及び裏面を有し、積層された複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップの集積回路間を電気的に接続する第1の配線と、
前記第1の配線と電気的に接続された外部端子と、
前記複数の半導体チップ及び前記第1の配線を封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L25/065
, H01L25/07
, H01L25/18
