特許
J-GLOBAL ID:200903012558736007

ポリシロキサン及びポジ型フォトレジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 萩野 平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-024236
公開番号(公開出願番号):特開2000-219743
出願日: 1999年02月01日
公開日(公表日): 2000年08月08日
要約:
【要約】【課題】高感度であり、0.2μm以下の高解像力を有し、矩形形状を有するフォトレジストを与え、しかも二層レジストシステムの上層レジストとして使用した場合、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供すること、並びにポジ型フォトレジスト組成物に上記の優れた特性を付与することができるポリシロキサンを提供すること。【解決手段】フェノール性水酸基及び/又は該水酸基が酸分解性基で保護された構造を有する単位を有するポリシロキサン、並びにこのポリシロキサンを含有するポジ型フォトレジスト組成物が提供される。
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で表される構造単位を含有することを特徴とするアルカリ可溶性ポリシロキサン。【化1】一般式(I)中:nは、1〜6の整数を表す。Lは、-A-OCO-、-A-COO-、-A-NHCO-、-A-NHCOO-、-A-NHCONH-、-A-CONH-、-A-OCONH-、-A-CONHCO-、及び-A-S-からなる群から選択される2価の連結基を表す。Aは、単結合又はアリーレン基を表す。Xは、単結合又は2価の連結基を表す。Zは、下記式(II-1)及び(II-2)【化2】で表される基からなる群から選択される一価の基を表す。ここで、Yは水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示し、lは1〜3の整数であり、mは1〜3の整数である。
IPC (12件):
C08G 77/14 ,  C08K 5/02 ,  C08K 5/3492 ,  C08K 5/36 ,  C08K 5/41 ,  C08K 5/42 ,  C08L 83/06 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027
FI (12件):
C08G 77/14 ,  C08K 5/02 ,  C08K 5/3492 ,  C08K 5/36 ,  C08K 5/41 ,  C08K 5/42 ,  C08L 83/06 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/075 511 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (45件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB08 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB33 ,  2H025CC20 ,  2H025DA13 ,  2H025FA03 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA41 ,  4J002CP05X ,  4J002CP06W ,  4J002CP09W ,  4J002CP10W ,  4J002EB006 ,  4J002EU186 ,  4J002EU216 ,  4J002EV216 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD206 ,  4J002GP03 ,  4J002GQ05 ,  4J035BA12 ,  4J035BA14 ,  4J035CA072 ,  4J035CA08N ,  4J035CA081 ,  4J035CA102 ,  4J035CA192 ,  4J035CA262 ,  4J035EA01 ,  4J035LA03 ,  4J035LB16
引用特許:
審査官引用 (16件)
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