特許
J-GLOBAL ID：200903017888394880
新規高分子シリコーン化合物、化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058946
公開番号（公開出願番号）：特開平10-310642
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【解決手段】 フェノール性水酸基を有し、このフェノール性水酸基の水素原子の一部が少なくとも1種の酸不安定基で置換された高分子シリコーン化合物が残りのフェノール性水酸基の一部において更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基で架橋されている重量平均分子量5,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。【効果】 本発明の高分子シリコーン化合物をベース樹脂としたポジ型レジスト材料は、高エネルギー線に感応し、感度、解像性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にKrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。また、酸素プラズマエッチング耐性に優れているため、下層レジストの上に本発明のレジスト膜を塗布した2層レジストは、微細なパターンを高アスペクト比で形成し得るという特徴も有する。
請求項（抜粋）：
フェノール性水酸基を有し、このフェノール性水酸基の水素原子の一部が少なくとも1種の酸不安定基で置換された高分子シリコーン化合物が残りのフェノール性水酸基の一部において更に分子内及び/又は分子間でC-O-C基を有する架橋基で架橋されている重量平均分子量5,000〜50,000の高分子シリコーン化合物。
IPC (5件)：
C08G 77/14
, C08G 77/46
, G03F 7/039 601
, H01L 21/027
, G03F 7/075 511
C08G 77/14
, C08G 77/46
, G03F 7/039 601
, G03F 7/075 511
, H01L 21/30 502 R
