特許
J-GLOBAL ID:200903012927501418

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-021029
公開番号(公開出願番号):特開2006-210662
出願日: 2005年01月28日
公開日(公表日): 2006年08月10日
要約:
【課題】 酸化シリコンより誘電率の高い高誘電率絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、(a)シリコン基板の活性領域表面にSiOまたはSiONの界面層を形成し、(b)界面層上方に酸化シリコンより高い誘電率を有するHfSiON等の高誘電率のゲート絶縁膜を形成し、(c)ゲート絶縁膜上方にポリシリコンのゲート電極を形成し、(d)高誘電率のゲート絶縁膜形成前後の少なくとも一方で、基板表面をパッシヴェーション処理し、(e)少なくともゲート電極、高誘電率のゲート絶縁膜をパターニングして絶縁ゲート電極構造を形成し、(f)絶縁ゲート電極構造両側の活性領域にソース/ドレイン領域を形成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
シリコン基板と、 前記シリコン基板の表面に画定された活性領域と、 前記活性領域の中間に形成された絶縁ゲート電極と、 前記絶縁ゲート電極両側の前記活性領域に形成されたソース/ドレイン領域と、を備え、 前記絶縁ゲート電極は、前記活性領域上の界面層と、前記界面層上方に形成され、酸化シリコンより高い誘電率を有する高誘電率のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上方に形成されたゲート電極とを含み、且つ前記ゲート絶縁膜と前記界面層との界面および前記ゲート絶縁膜と前記ゲート電極との界面の少なくとも一方がパッシヴェーションされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (9件):
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49 ,  H01L 21/768
FI (10件):
H01L29/78 301G ,  H01L21/28 301D ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/78 301F ,  H01L21/76 L ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/50 M ,  H01L29/58 G ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C
Fターム (137件):
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB30 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD65 ,  4M104DD84 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF14 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F032AA35 ,  5F032AA44 ,  5F032AA45 ,  5F032AA46 ,  5F032CA03 ,  5F032CA17 ,  5F032CA20 ,  5F032DA03 ,  5F032DA23 ,  5F032DA25 ,  5F032DA33 ,  5F032DA34 ,  5F032DA53 ,  5F032DA74 ,  5F033HH04 ,  5F033HH11 ,  5F033HH25 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033LL04 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM07 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033QQ70 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR14 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS13 ,  5F033SS15 ,  5F033TT08 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F048AA05 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC05 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG14 ,  5F048DA04 ,  5F048DA25 ,  5F140AA06 ,  5F140AA19 ,  5F140AB03 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE02 ,  5F140BE03 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10 ,  5F140BE13 ,  5F140BE17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG28 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG44 ,  5F140BG45 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK13 ,  5F140BK34 ,  5F140BK38 ,  5F140BK39 ,  5F140CA03 ,  5F140CA06 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC05 ,  5F140CC08 ,  5F140CC10 ,  5F140CC12 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CF07
引用特許:
出願人引用 (6件)
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