化学的機械的研磨用スラリー、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、及び化学的機械的研磨用スラリーの取り扱い方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089951
公開番号（公開出願番号）：特開2003-113370
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】高精度な研磨を高い研磨速度で実施可能であり且つ保管や廃棄が容易なCMP用スラリー、その取り扱い方法、それを用いた半導体装置の製造方法、及びそれを使用可能な半導体装置の製造装置を提供すること。【解決手段】本発明の化学的機械的研磨用スラリー7は、分散媒25と、前記分散媒25中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子18と、前記分散媒25中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有する。

請求項（抜粋）：

分散媒と、前記分散媒中に分散し且つ光照射により光触媒作用を呈する研磨粒子と、前記分散媒中に溶解したノニオン界面活性剤とを含有した化学的機械的研磨用スラリー。

IPC (6件)：

C09K 3/14 550 , C09K 3/14 , B24B 37/00 , B24B 57/02 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (6件)：

C09K 3/14 550 D , C09K 3/14 550 Z , B24B 37/00 H , B24B 57/02 , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 D

Fターム (6件)：

3C047FF08 , 3C047GG15 , 3C058AA07 , 3C058AC04 , 3C058CB01 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置製造用の研磨用組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-005413 出願人：旭化成株式会社
半導体デバイス製造用研磨剤及び該研磨剤を用いた研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-044825 出願人：住友化学工業株式会社
光触媒体の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-319550 出願人：シャープ株式会社, 大阪府

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