特許
J-GLOBAL ID：200903013086872080
窒化ガリウム系化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-208858
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054796
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、p型GaN層のコンタクト抵抗を低減させ、動作電圧の低い窒化ガリウム系半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の窒化ガリウム系化合物半導体装置は、基板1上に少なくともn型GaN層3とp型窒化GaN層6とが積層された窒化ガリウム系半導体装置であって、p型GaN層6が、アンドープのGaN化合物半導体層5bとp型ドーパントをドープしたAlGaN化合物半導体層5aからなる変調ドーピング層5を介して積層されている。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型窒化ガリウム系半導体層とp型窒化ガリウム系化合物半導体層とが積層された窒化ガリウム系半導体装置であって、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層が、アンドープの窒化ガリウム系化合物半導体層とp型ドーパントをドープし且つ前記アンドープの窒化ガリウム系化合物半導体層よりも広いバンドギャップを有する窒化ガリウム系化合物半導体とからなる変調ドーピング層を介して積層されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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