特許
J-GLOBAL ID：200903013180707395
III族窒化物系化合物半導体発光素子およびそれを用いた発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-154382
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332365
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 注入電流の増大に対応でき、熱による発光効率の低下を抑えて大光量の光照射を実現できるIII族窒化物系化合物半導体発光素子およびそれを用いた発光装置を提供する。【解決手段】 MQW層14のバリア層をAlGaNで形成し、その厚さとAlの添加量を最適化することで高注入電流の通電に対するキャリアオーバーフローの発生を抑えることが可能となり、発光効率を向上させることができる。また、発光効率の向上によって熱損失を抑えることができ、LED素子1自身が発する熱によって発光特性の低下が生じにくく、連続通電でも安定した発光特性を示すLED素子1が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1の導電型のIII族窒化物系化合物半導体層と、
第2の導電型のIII族窒化物系化合物半導体層と、
前記第1および前記第2の導電型のIII族窒化物系化合物半導体層の間に設けられ、井戸層とAlを3〜6%含むバリア層からなるMQW層とを有することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 C
, H01L33/00 N
5F041AA03
, 5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041DA09
, 5F041DA12
, 5F041DA19
, 5F041DA72
, 5F041FF11
出願人引用 (1件)
審査官引用 (8件)
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