特許
J-GLOBAL ID：200903042506540933
量子井戸と超格子とを有するIII族窒化物系発光ダイオード構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
谷 義一
, 阿部 和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-500987
公開番号（公開出願番号）：特表2005-507155
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
III族窒化物系超格子と超格子上のIII族窒化物系活性領域とを有する発光ダイオードが、提供されている。活性領域は、少なくとも1つの量子井戸構造を有する。量子井戸構造は、第1のIII族窒化物系バリア層と、第1のバリア層上のIII族窒化物系量子井戸層と、第2のIII族窒化物系バリア層とを含む。III族窒化物系半導体デバイスと、少なくとも1つの量子井戸構造を含む活性領域を有するIII族窒化物系半導体デバイスの製造方法とが、提供されている。量子井戸構造は、III族窒化物を含む井戸支持層と、井戸支持層上のIII族窒化物を含む量子井戸層と、量子井戸層上のIII族窒化物を含むキャップ層とを含む。またInXGa1-XNとInYGa1-YNとの交互層(ここで0≦X<1および0≦Y<1、ならびにXはYに等しくない)の少なくとも2つの周期を有する窒化ガリウム系超格子を含むIII族窒化物系半導体デバイスが、提供されている。半導体デバイスは、III族窒化物活性領域を有する発光ダイオードであってもよい。活性領域は、多重量子井戸領域であってもよい。
請求項（抜粋）：
III族窒化物系超格子と、
前記超格子上の、少なくとも1つの量子井戸構造を含むIII族窒化物系活性領域とを含み、
前記量子井戸構造は、
第1のIII族窒化物系バリア層と、
前記第1のバリア層上のIII族窒化物系量子井戸層と
前記III族窒化物系量子井戸層上の第2のIII族窒化物系バリア層とを含むことを特徴とするIII族窒化物系発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (8件)：
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA33
, 5F041CA34
, 5F041CA40
