特許
J-GLOBAL ID：200903013211174269

GaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子

発明者：
秋田 勝史

秋田 勝史 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  柴田 昌聰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-132035
公開番号（公開出願番号）：特開2008-285364
出願日： 2007年05月17日
公開日（公表日）： 2008年11月27日
要約：
【課題】半導体発光素子の発光効率の向上を図ることができるGaN基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子を提供する。【解決手段】GaN基板30は、その成長面30aが、m面若しくはa面に対してオフ角を有する面である。このGaN基板30においては、成長面30aがオフ角を有するm面若しくはa面となっている。これらのm面及びa面は非極性面であるため、このGaN基板30を用いて半導体発光素子を作製した場合には、ピエゾ電界の影響を回避して高い発光効率を実現することができる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
成長面が、m面若しくはa面に対してオフ角を有する面である、GaN基板。
IPC (3件)：
C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (3件)：
C30B29/38 D ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (30件)：
4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077ED06 ,  4G077FG16 ,  4G077HA02 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DP03 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM10
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM