特許

J-GLOBAL ID：200903013227370840

p型超格子構造とその作製方法、III族窒化物半導体素子及びIII族窒化物半導体発光素子

発明者： 三樹 剛 ,  岩田 浩和 ,  皿山 正二
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117530
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314204
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 表面劣化のない、as grownで低抵抗な、p型超格子構造とその製造方法の提供、並びに高性能のIII族窒化物半導体素子及び半導体発光素子の提供。【解決手段】 一般式AlxiGa(1-xi)N(1≧xi>0)とAlyiGa(1-yi)N(1>yi≧0)(i=1...n)で表されるIII族窒化物半導体層をn回積層して形成された超格子構造の少なくとも一方の層にp型不純物をドープしたAlxiGa(1-xi)N/AlyiGa(1-yi)N超格子構造の作製に際し、水素を含む雰囲気で結晶成長させた後、窒素原料のみからなるか又は少なくとも窒素原料を含む雰囲気で冷却し結晶成長温度から降温させる。

請求項（抜粋）：

一般式AlxiGa(1-xi)N(1≧xi>0)とAlyiGa(1-yi)N(1>yi≧0)(i=1...n)で表されるIII族窒化物半導体層をn回積層して形成された超格子構造の少なくとも一方の層にp型不純物をドープしたAlxiGa(1-xi)N/AlyiGa(1-yi)N超格子構造の作製に際し、水素を含む雰囲気で結晶成長させた後、窒素原料のみからなるか又は少なくとも窒素原料を含む雰囲気で冷却し結晶成長温度から降温させることを特徴とするp型AlxiGa(1-xi)N/AlyiGa(1-yi)N超格子構造の作製方法。

IPC (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 5/343 610 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (32件)：

5F041AA21 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F045AA04 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC19 ,  5F045CA12 ,  5F045DA54 ,  5F045EE13 ,  5F045EE18 ,  5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA23 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 窒化物半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-256452   出願人：日亜化学工業株式会社
• 青色発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-230679   出願人：株式会社東芝
• p型AlGaN系半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-163217   出願人：三菱電線工業株式会社
• p型窒化物半導体の成長方法及び窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-313442   出願人：日亜化学工業株式会社
• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-128409   出願人：日亜化学工業株式会社
• 化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-271605   出願人：株式会社東芝