半導体発光素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：植本雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-195960
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024285
出願日： 1999年07月09日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 AlGaInP系発光素子において、閾値電流,特性温度等の素子特性の改善を図ることの可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】半導体基板1上に素子部が形成され、素子部には、格子定数がGaAsとGaPとの間の値をとる(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>P(0≦x1≦1,0.51<y1≦1)のn型クラッド層3とp型クラッド層7とが活性層5の両側に設けられており、n型クラッド層3およびp型クラッド層7のうちの少なくともp型クラッド層7中に、あるいは、p型クラッド層7と活性層5との間に、p型クラッド層7よりもエネルギーギャップの小さな(Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>)<SB>y2</SB>In<SB>1-y2</SB>P(0≦x2≦1,0≦y2≦1)を井戸層6bとし、p型クラッド層7と同じ組成の層を障壁層6aとしてなる多重量子障壁構造(MQB構造)6が設けられている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に素子部が形成され、素子部には、格子定数がGaAsとGaPとの間の値をとる(Al<SB>x1</SB>Ga<SB>1-x1</SB>)<SB>y1</SB>In<SB>1-y1</SB>P(0≦x1≦1,0.51<y1≦1)のn型クラッド層とp型クラッド層とが活性層の両側に設けられており、前記n型クラッド層およびp型クラッド層のうちの少なくともp型クラッド層中に、あるいは、p型クラッド層と前記活性層との間に、p型クラッド層よりもエネルギーギャップの小さな(Al<SB>x2</SB>Ga<SB>1-x2</SB>)<SB>y2</SB>In<SB>1-y2</SB>P(0≦x2≦1,0≦y2≦1)を井戸層とし、前記p型クラッド層と同じ組成の層を障壁層としてなる多重量子障壁構造が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

Fターム (7件)：

5F073AA45 , 5F073AA71 , 5F073BA06 , 5F073BA09 , 5F073CA14 , 5F073CA17 , 5F073EA23

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平1-264287
量子バリア半導体光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-320977 出願人：古河電気工業株式会社
特開平1-264287

全件表示

前のページに戻る