半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：西教圭一郎 , 杉山毅至 , 廣瀬峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-347095
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156816
出願日： 2004年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：

【課題】半導体のヘテロ構造を含むにも拘らず、ゲート電圧が印加されていない状態では電流が流れないノーマルオフタイプのトランジスタなどの半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置1のチャネル層13に接して設けられるバリア層14を、チャネル層13を構成する半導体材料のa軸格子定数a1以上のa軸格子定数a2を有し、かつチャネル層13を構成する半導体材料のバンドギャップEg1よりも大きいバンドギャップEg2を有する半導体材料で形成し、バリア層14に接するようにピエゾ効果材層15を設け、ピエゾ効果材層15のバリア層14に接する側と反対側にゲート電極18を設ける。これによって、ゲート電圧がゼロの場合にはドレイン電流が流れず、ゲート電極18に電圧を印加すると、ピエゾ効果材層15が変形してバリア層14に応力が印加され、ドレイン電流が流れる状態となるノーマルオフタイプのトランジスタ1が得られる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1半導体層と、第1半導体層に接して設けられる第2半導体層とを備える半導体装置であって、第1半導体層と第2半導体層とは、下記式(1)および(2)の関係を満足し、 a1≦a2 ...(1) Eg1<Eg2 ...(2) (ここで、a1は第1半導体層を構成する半導体材料のa軸格子定数を示し、a2は第2半導体層を構成する半導体材料のa軸格子定数を示す。Eg1は第1半導体層を構成する半導体材料のバンドキャップを示し、Eg2は第2半導体層を構成する半導体材料のバンドギャップを示す。) 第2半導体層に応力を付与可能な応力付与手段を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/80 H , H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 622 , H01L29/78 618E , H01L29/78 617S , H01L29/78 617T

Fターム (58件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ04 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GL09 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GM10 , 5F102GQ01 , 5F102GR09 , 5F102GT01 , 5F102HC01 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110AA30 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD12 , 5F110EE02 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF05 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG24 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK33 , 5F140AA00 , 5F140AA02 , 5F140AA39 , 5F140AC28 , 5F140BA06 , 5F140BA09 , 5F140BB18 , 5F140BD04 , 5F140BD13 , 5F140BE05 , 5F140BE09 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BG30 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第5,192,987号明細書(第4欄,第5図)

審査官引用 (8件)

特開平1-119065
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-036424 出願人：ローム株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-141349 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る