特許

J-GLOBAL ID：200903013377954858

バイポーラ型半導体装置およびその製造方法

発明者： 三柳 俊之 ,  土田 秀一 ,  鎌田 功穂 ,  菅原 良孝 ,  中山 浩二 ,  石井 竜介
出願人/特許権者： 関西電力株式会社 ,  財団法人電力中央研究所
代理人 (4件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-211296
公開番号（公開出願番号）：特開2007-027630
出願日： 2005年07月21日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【課題】 炭化珪素バイポーラ型半導体装置において、通電を続けることにより生じる積層欠陥の発生および積層欠陥の面積拡大を抑制すること。【解決手段】 化学気相蒸着法によって第1導電型の炭化珪素単結晶基板1の表面から成長させた第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜2における少なくとも種欠陥密度が高い表層4を除去した後、表層4を除去した炭化珪素エピタキシャル膜2の表面から第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜3を成長させる。また、第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜3を成長させた後、この第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜3における少なくとも種欠陥密度が高い表層6を除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の炭化珪素単結晶基板と、 化学気相蒸着法によって前記第1導電型の炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜における少なくとも種欠陥密度が高い表層が除去された第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜と、 前記表層が除去された第1導電型の炭化珪素エピタキシャル膜の上に形成された第2導電型の炭化珪素エピタキシャル膜と、を備えることを特徴とするバイポーラ型半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/161 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/336

FI (7件)：

H01L29/91 F ,  H01L29/161 ,  H01L29/78 652H ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/74 F ,  H01L29/74 C ,  H01L29/78 658E

Fターム (3件)：

5F005AD01 ,  5F005AH02 ,  5F005BA02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開WO03/038876号パンフレット
  

審査官引用 (6件)

• 炭化珪素半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-405259   出願人：関西電力株式会社, 財団法人電力中央研究所
• 炭化珪素膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-322331   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体及び半導体基板、その製造方法、並びに半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-364009   出願人：HOYAアドバンスドセミコンダクタテクノロジーズ株式会社
• 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-122215   出願人：日産自動車株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所
• 炭化珪素基板の欠陥除去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-275131   出願人：株式会社デンソー
• n型不純物層を有する炭化珪素半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-241381   出願人：株式会社豊田中央研究所