写真製版によるパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-006106
公開番号（公開出願番号）：特開2002-214803
出願日： 2001年01月15日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は化学増幅系レジストに精度良くパターンを転写するためのパターン形成方法に関し、レジストにディンプルを発生させることなく、高いハーフトーン効果を確保することを目的とする。【解決手段】基板10上に化学増幅系のレジスト12を塗布する(図1(A))。塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された第1ブース30の内部で、基板10をその雰囲気に晒す(図1(B))。ハーフトーンマスク32を用いてレジスト12を露光する(図1(C))。塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された第2ブース34の内部で、基板10をその雰囲気に晒す(図1(D))。レジスト12のシフター対応部分(ハーフトーンマスク32のシフターに対応する部分)を上記の如く塩基性イオンで失活させた後に、レジスト12を現像する(図1(E))。

請求項（抜粋）：

写真製版によるパターン形成方法であって、基板上に化学増幅系レジストを塗布する塗布工程と、ハーフトーンマスクを用いて前記レジストを露光する露光工程と、前記レジストを現像する現像工程と、前記現像工程の前に、前記基板上に塗布された前記レジストを、塩基性イオン濃度が所定範囲内に管理された雰囲気に晒す中和工程と、を含むことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G03F 7/38 511 , G03F 1/08 , G03F 7/039 601 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 501 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F 7/38 511 , G03F 1/08 A , G03F 7/039 601 , G03F 7/20 521 , G03F 7/26 501 , H01L 21/30 568

Fターム (20件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025FA01 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H095BB03 , 2H096AA25 , 2H096BA09 , 2H096BA20 , 2H096DA03 , 2H096FA04 , 2H096GA08 , 2H096JA02 , 2H096JA03 , 2H096LA16 , 5F046AA28

引用特許：

審査官引用 (7件)

レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-081535 出願人：株式会社東芝
レジストパターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-236890 出願人：大日本印刷株式会社
特開平4-014058

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