特許
J-GLOBAL ID：200903013497084512
メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-397854
公開番号（公開出願番号）：特開2004-348934
出願日： 2003年11月27日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】メモリセルの選択性が高く、書き込み電流のマージンの大きいメモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ(MRAM)を提供する。【解決手段】ビット線対4・5とワード線3とメモリセル2とを備えるMRAMを用いる。ビット線対4・5は、Y方向に延びる第1ビット線4と第2ビット線5を含む。ワード線3は、X方向に延びる。メモリセル2は、ビット線対4・5とワード線3とが交差する位置に設けられ、第1トランジスタ(第1Tr)6と第2トランジスタ(第2Tr)16と磁気抵抗素子7とを含む。第1Tr6は、ゲートがワード線3に、ソースが第1ビット線4に接続される。第2Tr16は、ゲートがワード線3に、ソースが第2ビット線5に、ドレインが第1Tr6のドレインに接続される。磁気抵抗素子7は、記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有し、接地24と第1Tr6のドレインとの間に介設される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1ゲートと、前記第1ゲート以外の一方の端子としての第1端子と、他方の端子としての第2端子とを含む第1トランジスタと、
記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有し、一方の端子としての第3端子と、他方の端子としての第4端子とを含む磁気抵抗素子と
を具備し、
前記第1端子は、第1ビット線に接続され、
前記第2端子は、第2ビット線に接続され、
前記第1ゲートは、第1ワード線に接続され、
前記第3端子は、第2ワード線に接続され、
前記第4端子は、前記第2端子に接続される
メモリセル。
IPC (3件)：
G11C11/15
, H01L27/105
, H01L43/08
G11C11/15 110
, G11C11/15 120
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083LA12
, 5F083LA16
, 5F083LA21
, 5F083MA06
, 5F083MA16
, 5F083MA19
出願人引用 (7件)
-
米国特許第6,191,989号公報
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不揮発性メモリ装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-015475
出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
-
強磁性体メモリおよびその情報再生方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-334492
出願人：キヤノン株式会社
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審査官引用 (2件)
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