特許
J-GLOBAL ID：200903095133285179

磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
沼田 秀昭

沼田 秀昭 について

, 
武田 晃一

武田 晃一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-294525
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100181
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】レイアウト変更が少なくすむ汎用メモリマクロ化手段を提供する。【解決手段】複数のセンス線と前記複数のセンス線に直交して設けられた複数のワード線と、前記センス線と前記ワード線の各交点にセル選択スイッチと磁気抵抗素子が直列に接続された単位記憶セルがアレイ状に配置された磁気ランダムアクセスメモリにおいて、電源にスイッチを介して接続されたコンデサと、前記コンデンサの一端と前記センス線間を接続する電圧降下素子とを有し、前記コンデンサの一端を前記単位記憶セルの格納された情報に対応する電圧変化の検出端とする。
請求項（抜粋）：
複数のセンス線と前記複数のセンス線に直交して設けられた複数のワード線と、前記センス線と前記ワード線の各交点にセル選択スイッチと磁気抵抗素子が直列に接続された単位記憶セルがアレイ状に配置された磁気ランダムアクセスメモリにおいて、電源にスイッチを介して接続されたコンデサと、前記コンデンサの一端と前記センス線間を接続する電圧降下素子とを有し、前記コンデンサの一端を前記単位記憶セルの格納された情報に対応する電圧変化の検出端とすることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
IPC (5件)：
G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08
FI (5件)：
G11C 11/14 Z ,  G11C 11/15 ,  H01L 27/10 481 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (3件)：
5F083FZ10 ,  5F083LA03 ,  5F083LA10
引用特許：
審査官引用 (11件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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