特許

J-GLOBAL ID：200903013567668940

半導体装置の製造方法

発明者： 山村 育弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-136080
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332421
出願日： 2002年05月10日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】配線溝や接続孔の深さのばらつきを抑制しつつ、かつ、下層配線との接続面積を確保した状態で接続孔への導電材料の埋め込み性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】下層配線W1上に第1絶縁膜15を形成し、第1絶縁膜15上にエッチングのストッパ層16を形成し、ストッパ層16上に第2絶縁膜17を形成し、第2絶縁膜17、ストッパ層16および第1絶縁膜15をエッチングにより除去して接続孔15aを形成し、ストッパ層16を露出させるまで第2絶縁膜17をエッチングにより除去して、第2絶縁膜17に配線溝17aを形成し、エッチングをさらに続けて、配線溝17aと接続孔15aとの連結部におけるストッパ層16および第1絶縁膜15を削って、配線溝17a側の接続孔15aの端部の径を拡げた後、配線溝17aおよび接続孔15aを導電材料で埋め込む。

請求項（抜粋）：

下層配線上に第1絶縁膜を形成する工程と、前記第1絶縁膜上にエッチングのストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層上に第2絶縁膜を形成する工程と、前記第2絶縁膜、前記ストッパ層および前記第1絶縁膜をエッチングにより除去して接続孔を形成する工程と、前記ストッパ層を露出させるまで前記第2絶縁膜をエッチングにより除去して、前記第2絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記エッチングをさらに続けて、前記配線溝と前記接続孔との連結部における前記ストッパ層および前記第1絶縁膜を削って、前記配線溝側の前記接続孔の端部の径を拡げる工程と、前記配線溝および前記接続孔を導電材料で埋め込む工程とを有する半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 105 A

Fターム (91件)：

4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD07 ,  4M104DD08 ,  4M104DD12 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD75 ,  4M104EE08 ,  4M104EE12 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH05 ,  4M104HH12 ,  4M104HH13 ,  4M104HH14 ,  4M104HH20 ,  5F004AA12 ,  5F004BA04 ,  5F004DB03 ,  5F004DB07 ,  5F004EA23 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK15 ,  5F033KK18 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN32 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ14 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ34 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX28 ,  5F033XX31

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081455   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258331   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-081455   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-258331   出願人：三菱電機株式会社