特許
J-GLOBAL ID：200903013659006863
半導体装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
雨貝 正彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-153818
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330256
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 高密度実装が可能な半導体装置を製造する際の不良率を低減することができ、しかも工程の簡略化が可能な半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体ウエハ2に同一のメモリチップ1を複数個形成した状態で、各メモリチップ1の良否検査を一度に行い、良品と判定されたメモリチップ1を4個、2個あるいは1個単位で半導体ウエハ2から切り出し、基板4に実装してメモリモジュール10を完成させる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに複数の同一の半導体チップを形成した後に、各半導体チップの良否検査の結果に応じて1あるいは複数個を単位として前記半導体チップを切り分けることにより形成することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/82
, H01L 27/10 495
H01L 21/82 D
, H01L 27/10 495
