特許
J-GLOBAL ID：200903013979201575

プラズマ処理システムにおける選択性の制御方法

発明者：
竹下 健二

竹下 健二 について

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ターメル,オデット

ターメル,オデット について

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コザケビッチ,フェリックス

コザケビッチ,フェリックス について

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ハドソン,エリック

ハドソン,エリック について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (4件)： 廣江 武典 ,  武川 隆宣 ,  ▲高▼荒 新一 ,  西尾 務
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-547307
公開番号（公開出願番号）：特表2007-516622
出願日： 2004年12月21日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：
プラズマ処理システムにおける、半導体基板上の所定の層を介して機能をエッチングするための方法。本方法は、上記プラズマ処理システムのプラズマ処理室に基板を置くことを含む。また本方法は、上記プラズマ処理室内へエッチャント混合気を流し込むことも含み、上記エッチャント混合気は所定の層をエッチングするように構成されている。本方法はさらに、エッチャント・ソース・ガスからのプラズマを打撃することを含む。さらに本方法は、上記基板にバイアスRF信号を印加しながら、上記機能を少なくとも部分的に所定の層を介してエッチングすることを含む。上記バイアスRF信号は約27MHz乃至約75MHzの範囲のバイアスRF周波数と、バイアスRF電力成分とを有し、上記バイアスRF電力成分は、エッチ機能を、基板の第2の層への、予め決められた選択性しきい値より高いエッチング選択性でエッチングさせるように構成され、または上記機能を、バイアスRF周波数における予め決められたエッチ速度パラメータ及びエッチ・プロファイル・パラメータに従ってエッチングさせるように構成される。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理システムにおける、半導体基板上の所定の層を少なくとも部分的に介して機能をエッチングするための方法であって、 上記基板を上記プラズマ処理システムのプラズマ処理室内へ置くことと、 上記プラズマ処理室内へエッチャント混合気を流入すること、を含み、上記エッチャント混合気は上記所定の層をエッチングするように構成され、 上記エッチャント・ソース・ガスからのプラズマを打撃することと、 上記所定の層を少なくとも部分的に介して上記機能をエッチングし、同時に上記基板へバイアスRF信号を印加すること、を含み、上記バイアスRF信号は約45MHz乃至約75MHzの範囲のバイアスRF周波数を有し、上記バイアスRF信号はさらに、上記エッチ機能を、上記基板の第2の層への、予め決められた選択性しきい値より高いエッチング選択性でエッチングさせるように構成されるバイアスRF電力成分を有する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L21/302 101B ,  H05H1/46 A ,  H01L21/90 A
Fターム (41件)：
5F004AA05 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F004DB12 ,  5F004DB23 ,  5F004EA23 ,  5F004EB03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR12 ,  5F033WW00 ,  5F033WW07 ,  5F033XX03
引用特許：
審査官引用 (8件)
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