特許

J-GLOBAL ID：200903014114386126

レベルシフト回路および半導体装置

発明者： 佐藤 雄一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-202876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036388
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：

【要約】【課題】 低電圧で動作速度を低下させることなく低消費電力にできると共に、耐圧を容易に確保できるレベルシフト回路および半導体装置を提供する。【解決手段】 インバータ回路IV1の第1のNMOSトランジスタNDT1,第1のPMOSトランジスタPDT1および第2,第3のNMOSトランジスタNDT2,NDT3を、オンした場合にチャンネルが形成される半導体領域がゲートと電気的に接続された動的にしきい値電圧が変化するDTMOSトランジスタとする。

請求項（抜粋）：

低電圧で動作する回路と上記低電圧で動作する回路よりも高い電圧が印加される回路とを構成する複数のMOSトランジスタを備え、入力信号よりも振幅の大きい信号を出力するレベルシフト回路において、上記複数のMOSトランジスタのうちの上記入力信号の振幅に相当する振幅の信号がゲートに入力されるMOSトランジスタの少なくとも1つは、オンした場合にチャンネルが形成される半導体領域がゲートと電気的に接続されたMOSトランジスタであることを特徴とするレベルシフト回路。

Fターム (5件)：

5J043AA03 ,  5J043AA05 ,  5J043AA25 ,  5J043JJ10 ,  5J043KK06

引用特許：

審査官引用 (5件)

• レベルシフト回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202283   出願人：三洋電機株式会社
• 高速レベルシフト回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-152378   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 負荷駆動回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-116016   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム
• レベル変換回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-185382   出願人：日本電気株式会社
• 特開平2-145018
  

引用文献：

審査官引用 (5件)

• 「A Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS) for Very Low Voltage Operation」
• 「Novel Bulk Dynamic Threshold Voltage MOSFET(B-DTMOS) with Advanced Isolation(SITOS) and Gat
• 「A High-Speed Low-Power 0.3μm CMOS Gate Array with Variable Threshold Voltage(VT) Scheme」
• 「A Dynamic Threshold Voltage MOSFET(DTMOS) for Very Low Voltage Operation」
• 「Dynamic Threshold-Voltage MOSFET(DTMOS) for Ultra-Low Voltage VLSI」