特許
J-GLOBAL ID：200903014241381265

炭素薄膜構造並びに炭素薄膜の加工方法及び製造方法

発明者：
安丸 尚樹

安丸 尚樹 について

, 
宮崎 健創

宮崎 健創 について

, 
木内 淳介

木内 淳介 について


出願人/特許権者：
独立行政法人科学技術振興機構

独立行政法人科学技術振興機構 について

, 
アイテック株式会社

アイテック株式会社 について


代理人 (1件)： 川崎 好昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-368423
公開番号（公開出願番号）：特開2005-133129
出願日： 2003年10月29日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：
【課題】本発明では、硬質カーボン膜にガラス状炭素を形成することで両者の長所を併せ持つ炭素薄膜構造並びに炭素薄膜の加工方法及び製造方法を提供するものである。【解決手段】基材表面に成膜された硬質カーボン膜に、低フルーエンスのパルスレーザー(フェムト秒レーザー等)を照射することで、照射部分にガラス状炭素を形成することができる。したがって、硬質カーボン膜の基材表面への付着力を備え、表面にはガラス状炭素の特性である耐摩耗性、耐熱性、耐食性、導電性及びガス不透過性を備えた炭素薄膜構造を構成することができる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基材表面に成膜された硬質カーボン膜の少なくとも一部の領域にガラス状炭素が形成されていることを特徴とする炭素薄膜構造。
IPC (2件)：
C23C14/58 ,  C23C14/06
FI (2件)：
C23C14/58 C ,  C23C14/06 F
Fターム (13件)：
4G146AA01 ,  4G146AA04 ,  4G146AA19 ,  4G146AB07 ,  4G146AD16 ,  4G146CB16 ,  4K029AA02 ,  4K029BA34 ,  4K029CA05 ,  4K029DC02 ,  4K029DC03 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01
引用特許：
出願人引用 (9件)
全件表示
審査官引用 (9件)
  • 特開平1-169749
  • 特開平1-169749
  • 炭素膜及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-064295   出願人：三菱重工業株式会社
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM